OpenMicro Labs Technical blog for my memory - From Chip to Cloud

Acceptor

 반도체 소자의 특성을 p-Type으로 형성하기위한 불순물 원자로 원소주기율표상의

3족 원자(Boron, Gallium and Indium)를 말하며, Germaium(Ge)이나 Silicon(Si)과

같은 다이아몬드 결정구조로 공유결합을 하고 있는 반도체 결정속에 불순물

(Dopant)로서 미량 혼합하면 3가의 원자는 반도체 원자로 부터 전자 1개를 취하여

완전한 결정구조의 공유결합을 이루려는 성질의 반도체 물질로 된다. 

Acetic Acid

CH3COOH

 무색, 휘발성 기체로 달콤한 냄새가 나며, 허용농도는 1000 ppm, 인화점 43°C의 성

질을 갖고 있는 화합물이다. 반도체 공정에서 표면 Cleaning 또는 Nitride Acid

(HNO3), Hydrofluoric Acid(HF) 등과 함께 세정 공정 등에서 Uniformity 등을 좋게

하는 완충 용액으로 사용된다.
Active Element

 전자부품을 능동소자와 수동소자로 나누어 생각하는 경우가 있는데, 능동소자는 비

선형(Nonlinear) 특성을 이용하는 소자로 대표적인 것으로는 진공관, Transistor,

FET(Field Effect Transistor), Diode 등이 있다.
Alloy

 두 종류 이상의 금속이 용융하여 혼합되는 현상 또는 그 결과로 얻어진 혼합 금속

을 말한다.

반도체 공정에 있어서 합금 과정은 n-Type 반도체인 Germaium(Ge)위에 Indium

(In)의 입자를 얹어 고온에서 용해시키는 것과 같은 과정으로 진행되며, 이때 반도

체 물질과 불순물 입자는 Ohm성 접촉을 이루는데 이러한 형식으로 이루어진 PN 접

합을 합금접합(Alloy Junction)이라 한다.

PN접합을 만드는 방법으로는 합금접함이외에 결정을 성장시키는 과정에서 점차로

불순물을 투입하는 성장접합(Growing Junction), 고온에서 불순물을 기체 상태로부

터 확산하는 확산접합(Diffused Junction), 전도 형태가 다른 반도체를 점차로 에픽

테셜(Epitaxial) 성장시키는 에픽테셜접합(Epitaxial Junction), 불순물 원자를 이온

화한 다음 고전계로 가속하여 반도체에 주입하는 이온 주입 공정(Ion Implant) 등이

있다.
Aluminum

Al

 원자번호 13인 3족 원소로 반도체 기술에서 Multilevel Metallization을 포함한 IC

Metallization에서 가장 자주 사용되는 금속원소. 순수 Al보다 Al Alloy나 또는 다른

Metal과의 조합에 의해서 사용되며, 낮은 Sheet Resistance와 SiO2, Si3N4와 좋은

Adherence를 가지고 있으며, 증착이 쉽고, Pattern형성이 용이 하다는 장접이 있

다. 이 것은 진공증착(Vacuum Evaporation)이나 Sputtering 방법을 이용하여 흡착

시킨다.
Ambient

 확산(Diffusition) 또는 이온 주입 공정(Ion Implant)을 진행할때 주위의 Carrier

Gas 종류를 말한다.
Anion

 하나 또는 그이상의 전자를 얻어 음전기성으로 변화된 Ion인 원소(atom) 또는 분자

(molecule)
Argon

Ar

 아르곤, 원자번호 18인 0족 불활성 원소로 산소와 취환하며, 무색, 무취, 비가연성

의 성질을 갖는다.

반도체 공정에서 Particle 등의 오염이 심각하게 영향을 미치는 Sputtering 및 Ion

Implant의 Carrier Gas로 사용되며, MOS Device의 Annealing Gas로 또는

Plasma Etching등에 사용된다.
ASIC

 Application Socific Integrated Circuit

범용 IC와는 달리 사용자의 주문에 따라 제조되는 주문형 IC를 위미함. 표준화 되어

있지 않고 특정 사용자의 주문에 의해 제작되는 IC로서 반 주문형(Semi-custom)과

완전 주문형(Full-custom) IC의 총칭이다. ASIC이라는 단어는 미국의 Dataquest

(전자정보 관련회사)에서 처음 명명한 말로 대표적인 제품으로는 Gate Array와

Standard Cell이 있다.
BB Rate

 Book to Bill Ratio

반도체 시장의 수요와 공급의 실상을 나타내는 지표로서 그 값이 1.0일 때는 수요와

공급의 균형을 나타내며, 1.0보다 작을 때는 공급과잉으로 가격하락을 초래하며,

1.0 이상일 때는 공급부족을 나타내어 가격 상승을 가져온다. 
Bipolar

 Bi는 2, Polar는 Polarity, 즉 극성을 뜻하므로 Bipolar는 쌍극성 또는 2극성이라는

뜻으로 소자의 동작에 다수 Carrier와 소수 Carrier, 즉 전자(Electron)와 전공(Hole)

의 양쪽이 관여하고 있는 것을 의미한다. Bipolar의 가장 좋은 예가 보통의

Transistor인 접합형 Transistor로서 전자와 정공 양쪽의 동작으로 Transistor 작용

이 얻어진다.
Bipolar Transistor

 Transistor의 동작에 전자(Electron)와 전공(Hole)을 동시에 이용하는 Transistor

를 말하며, 이것에 대응하는 말에 Unipolar Transistor가 있는데, 이는 전자 또는 전

공 중의 어느 한 쪽만을 이용하는 Transistor로 MOS Transistor가 대표적인 예이

다. 
Buffer

 화학반응에 있어서 실제로 반응하는 Ion의 수를 일정하게 유지시켜 산(Acid)이나

용제의 화학반응 상태의 급격한 변화를 막아주는 첨가물. 
Carrier

 반도체 물질내에서 전기정보를 전달하는 매체인 전자(Electron)와 전공(Hole)
CCD

 Charge Coupled Device

빛 등에 의해 유기된 Carrier를 전송시켜 아날로그 신호로 꺼내는 기능을 지닌 소자

로 1970년에 BTL의 Boyle 등에 의해 발표된 소자이다. 자기 주사기능과 기억 기능

을 겸비한 간단한 MOS구조를 말한다. 
Cell

 기억소자내에 Data를 저장하기 위해 필요한 최소한의 소자 집합을 지칭함. D램의

셀(Cell)은 1개의 Transistor와 1개의 Capacitor로 구성되어있다. 
Channel

 FET(Field Effect Transistor)의 Gate 아래 부분인 Source와 Drain사이에 형성된

다수 Carrier의 통로를 말하며 전류가 흐르는 길. FET에서는 이 채널의 형태에 따라

전류의 흐름이 달라지는데 이것은 Gate에 가한 전압으로 제어한다. P-Channel과

N-Channel 두가지가 있다.
Chip

 Wafer상에 소자가공이 끝난 상태의 개개의 IC를 말하며, Die, Pellet과 같은 의미의

용어이다.
CMOS

 Complementary Metal Oxide Semiconductor

P-Channel과 N-Channel MOS를 하나의 회로에 동시에 구성하여 단위 Transistor

의 기능을 발휘하게 한 IC회로로서 소비전력이 작은 장점을 가지고 있다. 
Contamination

 반도체 Wafer에 물리적 화학적 특성에 영향을 주는 물질을 말한다.
Contact

 적층되어 있는 전도층들을 연결시켜 주기 위하여 절연물에 구멍을 뚫은것을 말한

다.
Critical Dimension

 Mask의 형상을 Wafer에 옮기는 과정에서 Wafer에 재현된 Pattern의 최소 선폭을

말하는 것으로 정해진 CD값을 만족시켜야 원하는 Device를 구성할 수 있다.
Cum Yield

 FAB IN에서 제품을 출하하기 까지 4Group(FAB, PROBE, PKG, TEST) Yield를 합

산한 수율.
Die

 Wafer상에 소자가공이 끝난 상태의 개개의 IC를 말하며, Chip, Pellet과 같은 의미

의 용어이다. 
Dielectric

 절연체 또는 유전체로서 전압을 걸었을 때 전류를 흘리지 못하는 물질로 반도체 공

정에 쓰이는 유전체는 Silicon Dioxide(SiO2)와 Silicon Nitride(Si3N4)등이 있다. 
Diode

 Di-Electrode를 줄인 말로써 원래는 2극 소자 모두를 뜻하는 것이나 일반적으로 반

도체의 2극 소자를 가리키는 경우가 많으며, 그 중에서도 PN Junction Diode가 많

으므로 흔히 Diode라고 하면 PN Junction Diode를 의미하기도 한다. 즉 Diode는 전

류를 한쪽 방향으로만 흐르게 하는 두 단자 소자이다. 
DI Water

 De-Ionized Water

물속에 녹아있는 무기물 등을 제거하여 세척에 사용하는 탈 이온수이다.
Doner

 반도체 소자의 특성을 n-Type으로 형성하기 위하여 전도대에 자유전자를 주입하

는 불순물 원자로 원소주기율표상의 5족 원자(Phosphorus and Arsenic)를 말하

며, Germaium(Ge)이나 Silicon(Si)과 같은 다이아몬드 결정구조로 공유결합을 하

고 있는 반도체 결정속에 불순물(Dopant)로서 미량 혼합하면 5가의 원자는 반도체

원자에 전자 1개를 주어 완전한 결정구조의 공유결합을 이루려는 성질의 반도체 물

질로 된다.
Drain

 FET(Field Effect Transistor)의 전극의 하나를 말한다. Drain은 전류가 흘러 들어가

는 전극이며, 통상의 사용법인 Source의 접지 방식에서는 출력을 꺼내는 전극이 된

다. 즉 Bipolar Transistor의 Collector에 해당하는 전극이라고 할 수 있다.
Dummy Wafer

 생산 Wafer와 같이 투입되어 생산 Wafer 특성의 균일성을 도모하기 위하여 장비의

특성을 알기 위해 사용하는 Wafer.
Electron

 원자의 핵 주위를 회전하는 하전입자로, 원자와 원자의 결합은 이 전자들의 결합력

에 의해 이루어지며, 가해진 전계에 의해 원자핵의 구속으로부터 벗어난 전자의 이

동에 의해 금속이나 반도체의 전기 전도 현상이 일어난다. 전자는 전하를 가지고 있

으므로 전계나 자계에 의해 운동의 영향을 받으며, 열에너지와 빛에너지에 의해 물

질 외부로 방출되기도 한다. 
EM

 Electro-Migration

배선에 전류가 흐를때 배선을 구성하는 원자가 Joule-Heating에 의한 온도 상승에

힘입어 전자(Electron)의 흐름에 밀려 이동(Migration) 하는 현상을 의미한다. EM

내성에 영향을 주는 요인으로는 배선의 종류(Material, 결정구조, 미세구조), 선폭,

두께, Contact 및 Via 구조, 동작 전류 밀도, 그리고 동작 온도 등이다. 
FET

 Field Effect Transistor

Bipolar Transistor와 달리 다수반송자 즉 전자나 정공 중의 하나에 의하여 전류가

형성되며 Gate 전계에 의해 전류를 제어하는 Transistor.
Gate

 FET(Field Effect Transistor)의 제어전극에 해당되는 것으로 Bipolar Transistor의

Base단자에 해당되는 용어. 
Germaium

Ge

 원자번호가 32인 4족 원소로 Silicon과 함께 가장 잘 알려진 반도체 재료이다. 1886

년 독일의 화학자 윙클리에 의해 발견되어 그의 조국 독일의 이름을 떠서 붙여진 이

름이다. 
Hole

 반도체 속에서 가전자대역에 있는 전자의 이동으로 생기는 비어있는 전자의 준위

를 말하며, 정공이라고 한다.
Impurty

 Doner와 Accepter와 같이 특정한 목적으로 기판에 주입하는 물질.
IC

 Integrated Circuit

작은 면적에 많은 전자 회로가 서로 연결되어 하나의 회로로서 기능을 갖게한 직접

회로.
Insulator

 물질의 에너지대 구조에 있어서 Valance Band는 전자가 꽉 차있고 Conduction

Band와 Valance Band의 에너지 Gap이 매우크며 Forbidden Band내의 불순물등

에 의한 에너지 준위가 존재하지 않기 때문에 상온에서 Conduction Band,

Valance Band에 전기를 운반할 수 있는 Carrier가 존재하지 않아 전기가 통하지 않

는 물질을 말한다. 
Ion

 원자가 전자를 얻거나 잃은 상태를 말하며, 원자가 전자를 얻게 되면 음의 전하를

띠게되고, 전자를 잃으면 양의 전하를 띤다. 음전하를 띠는 이온을 음이온, 양전하

를 띠는 이온을 양이온이라고 한다. 
IR

 Implanted Resistor

Photo에서 확산(Diffusion)까지의 공정을 말한다.
Isolation

 반도체 집적회로에서는 하나의 Chip속에 만들어지는 각각의 회로 소자를 서로 분

리하여 전기적으로 독립된 상태로 만들어 놓을 필요가 있는데, 이것을 분리

(Seperation) 또는 고립(Isolation)이라 한다. 
LCD

 Liquid Crystal Display

액정(Liquid Crystal)을 이용한 문자나 숫자표시판으로 두개의 유리판사이에 액정

을 넣고 전압에 의하여 원하는 문자를 표시하도록 한 장치.
LED

 Light Emitting Diode

반도체장치로서 전류가 통과할 때만 빛을 발산하는 다이오드.
LOCOS

 Local Oxidation of Silicon

Philips사에 의해서 개발된 부분산화 공정으로 Silicon Nitride를 산화 Mask로 이용

하여, MOS FET제조시 Field 영역의 산화막을 성장시키는 기술이다.
MOS

 Metal-Oxide-Semiconductor

Silicon 기판(Semiconductor)위에 산화막(Oxide)을 형성시키고 그위에 Silicon 전

극(Metal)을 형성하여 전장(Electric Field)에 의한 Silicon 표면의 전하를 조절할

수 있는 구조.
N-Channel

 P형 기판에 N형 확산영역을 형성한 MOS FET에 있어서 Source, Drain 사이에 흐

르는 전류의 통로인 Channel이 전자에 의해서 형성된 것을 말한다. 
N-Type

 반도체에서는 전기전도에 기여하는 Carrier가 전자, 정공 및 그 양쪽 중 어느 것이

주체가 되는가에 따라서 세가지 전도형으로 나뉘는데, 그 중 전자가 Carrier의 주체

가 되는 반도체를 n-Type 반도체라고 한다. 
Pad

 Lead Frame과 Wire를 연결할 수 있도록 소자내 금속의 넓은 공간을 말한다.
Passivation

 Wafer에 적용되는 Silicon Nitride 또는 Silicon Dioxide의 최종 보호막을 말한다.
P-Channel

 N형 기판에 P형 확산영역을 형성한 MOS FET에 있어서 Source, Drain 사이에 흐

르는 전류의 통로인 Channel이 전공에 의해서 형성된 것을 말한다. 
P-Type

 반도체에서는 전기전도에 기여하는 Carrier가 전자, 정공 및 그 양쪽 중 어느 것이

주체가 되는가에 따라서 세가지 전도형으로 나뉘는데, 그 중 전공이 Carrier의 주체

가 되는 반도체를 p-Type 반도체라고 한다. 
Quartz

 Silicon 산화물의 다른 이름으로 높은 내열성을 갖고 있어 확산 Tube 등의 반도체

공정장치에 많이 쓰인다. 
SAM

 Serial Access Memory

VIDEO REM 내부회로의 일부로서 Data 출력시 Serial로 출력이 가능하도록 해주는

회로.
Shrink Version

 일정면적내에서 더 많은 기억소자의 확보를 위하여 기존의 실제면적을 축소하여 제

품화한 제품.
Silicon

 원자번호 14인 5족의 원소(규소)로서 반도체 재료로 널리 사용된다.
Silicon Nitride

Si3N4

 일반적으로 Passivation, Masking, 또는 Insulating Layer로 사용되는 물질.
Silicon Dioxide

SiO2

 Silicon이 산소와 결합한 산화막으로 보통 Oxide라 부른다. 
Smock

 청정실에서 입는 작업복을 말하며 먼지가 나지 않으며 내부의 먼지도 밖으로 나오

지 않는다.
Tweezer

 Wafer를 잡는데 사용하는 도구.
Wafer

 직접회로를 만들기 위한 반도체 물질의 단결정을 성장시킨 기둥모양의 Ingot을 얇

게 잘라서 원판모양으로 만든것.